海威华芯携5G基站用GaN功放芯片产品、快充用GaN功率芯片产品分别在战略合作伙伴中电化合物半导体（华大半导体投资）、青岛聚能创芯微电子（赛微电子,SZ.300456）展台上亮相，旨在向5G通讯和消费类电子产业链客户展示其稳定可靠的芯片产品制造能力。

以GaN、SiC为代表的第三代化合物半导体芯片，具有高工作频率、高输出功率等优异特性，是微波功率放大、高效电能转化的首选芯片。

此次展会海威华芯在中电化合物半导体展台展出了适用于5G通讯的碳化硅基GaN芯片。中电化合物作为海威华芯的上游合作伙伴，双方合作在6英寸碳化硅基GaN外延片上开发出应用于5G宏基站的全国产化GaN功放芯片，频率覆盖6GHz以下，功率140W以下，具有完整的自主可控知识产权。

同时，海威华芯在战略合作伙伴青岛聚能创芯及聚能晶源展台展示了适用于消费类电子的硅基GaN芯片。青岛聚能创芯是国内知名消费类电子集成厂商，目前已经推出了65-120W的快充产品，聚能晶源是国内知名的GaN外延材料供应商，可对外供应用于功率器件制造的硅基GaN外延晶圆产品，随着双方合作的进一步深入，产品应用将拓展至白色家电、新能源、汽车电子、工业电子领域。

在展会及论坛上，第三代化合物半导体产业链上下游客户及同行与海威华芯技术人员展开了深入交流，充分肯定了海威华芯在5G通讯及消费类电子市场取得的进展。在芯片制造方面，海威华芯的6英寸碳化硅密集背孔刻蚀、先进钝化层应力管控、分段式免抛光SiC减薄等特色技术得到业内专家的认可和好评。

目前海威华芯拥有化合物半导体核心专利240项，共计获得GaN专利授权43项。据国际知名统计机构Yole development报道，海威华芯已成为全球RF GaN专利产出方面的重要贡献者。

作为中国第三代半导体行业的先驱者，海威华芯紧跟市场脉搏，建设并投产国内首条6英寸GaN专用生产线，持续在微波功率和电力电子芯片制造领域精准发力，凭借先进的技术积累，芯片制造的自主可控，产业链上下游厂商的紧密合作，国家政策的大力扶持，海威华芯的第三代化合物半导体芯片将进入发展快车道，打破国际垄断，实现高端化合物半导体芯片的国产化，在国际竞争中实现弯道超车。